本品能快速高效地從晶片表面去除CMP殘留的磨料粒子、粉塵粒子、金屬離子和有機殘留物，并保護硅片免受腐蝕，高效清潔晶片基材表面。對人員和環(huán)境友好，廢水處理簡單。

a) 經(jīng)濟性：本品為濃縮液可稀釋20倍，經(jīng)濟價值高。

b) 高效性：能快去除磨料粒子、有機殘留物、金屬離子和細微顆粒。

c) 安全性：對晶片和半導(dǎo)體材料無腐蝕。

d) 抗腐蝕性強：60℃恒溫浸泡170小時硅片無腐蝕。

e) 環(huán)保性：不含氨氮、磷等禁用物質(zhì)，不含金屬離子對人員和環(huán)境友好，廢水處理簡單，屬于環(huán)保型產(chǎn)品。 

根據(jù)實際工作條件，可采用噴淋清洗、超聲波清洗等使用方法，一般建議采用原液加溫至45℃～65℃對半導(dǎo)體晶圓進行清洗，清洗時間可根據(jù)實際情況控制在3min～10min左右；清洗完成后用去離子水或超純水清洗，清洗的次數(shù)和時間由現(xiàn)場工藝要求來決定。